刘文亮，男，汉族，副教授，硕士生导师。 长期从事第一性原理和经典分子动力学计算模拟研究，具有丰富的经验和扎实的基础，研究领域主要包括拓扑绝缘体的电子结构、拓扑相变和半导体纳米线表面重构，以第一作者在 Physical Review B, Nanotechnology, Physica B 和Chinese Physics B等学术期刊上发表SCI论文多篇；与他人合作在Physical Review B, J. Phys.: Condens. Matter等学术期刊上发表SCI论文9篇。
主要研究方向具体如下： 低维凝聚态物理，量子调控，量子材料设计，纳米电子学等方向。
【1】衬底和应变对Bi2Se3类拓扑绝缘体薄膜的费米能级和Dirac锥的调控研究(国家自然科学基金青年项目：11504311), 2016/01/01-2018/12/31,主持，排名第一，24.3万元。
【2】拓扑绝缘体-石墨烯复合体系电子态调控研究(国家自然科学基金，11447108)，2015/01/01-2015/12/31,主持，排名第一，5万元。
【3】Bi2Se3类拓扑绝缘体薄膜拓扑相变的第一性原理研究(国家自然科学基金国际合作与交流项目：11681240382)，2016/07-2016/12，主持，排名第一。
【4】Bi2Se3类拓扑绝缘体薄膜拓扑相变的第一性原理研究（省教育厅一般项目：15C1321），2015/09/01-2017/08/31，主持，排名第一。
【5】拓扑绝缘体Bi2Te3中杂质散射问题的研究(校级项目:10XZX06）,2011年-2012年，主持，排名第一，0.5万元。
【6】拓扑绝缘体Bi2Se3和Bi2Te3薄膜中的巨Rashba效应的第一性原理研究（国家自然科学基金面上项目：11274265），2013年-2016年，参与，排名第三，78万元。
【7】折叠对石墨烯条带电子输运的影响和调控（国家自然科学基金面上项目：11074213），2011年-2013年，参与，排名第三，38万元。
【8】半导体量子点-二维碳氮纳米结构电子输运理论研究(国家自然科学青年项目：11204262)，2013年-2015年，参与，排名第二，25万元。
【9】无掺杂稀磁半导体的第一性原理研究(省教育厅：10A118)，2010年-2013年，参与，排名第二，8万元。
【10】碳化硅表面硅原子解吸附行为与石墨烯生长机制(国家自然科学基金：11047135)，2001年1月-2011年12月，参与，排名第二，4万元。
【11】无序耦合谐振腔光波导的光学特性研究(国家自然科学基金：11204263)，2013年-2015年，参与，排名第二，24万元。
【12】第一性原理动力学蒙特卡罗模拟研究液滴外延法半导体量子环自组装生长(国家自然科学基金：20094301120004)，2010年-2012年，参与，排名第三，3.6万元。
【13】 碳化硅纳米颗粒表面石墨烯量子点生长机制与形貌调控的理论研究(国家自然科学基金：11204260)，2013年-2015年，参与，排名第三，25万元。
【14】 半导体量子点与氮掺杂石墨烯复合动力学机制研究(国家教育部：20124301120006)，2013年-2015年，参与，排名第三，4万元。
[1] Wenliang Liu, Xiangyang Peng, Xiaolin Wei, Hong Yang, G. Malcom Stocks, and Jianxin Zhong, “Surface and Substrate Induced Effects on Thin Films of Topological Insulators Bi2Se3 and Bi2Te3”, Phys. Rev. B 87, 205315( 2013) .
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